中科院:光刻技术是国内外集成电路领域差距最大的环节

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9月17日,中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开。中国科学院院士刘明在讲话中指出,国内光刻技术与国外技术的差距仍然是15 - 20年,这是集成电路领域的最大差距。

刘明谈到了中国集成电路的几项基本技术。关于光刻胶技术,刘明说,中国在EUV光源,多层膜,掩模,光刻胶和超光滑抛光技术方面取得了一些进展。但总的来说,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍然是15到20年,这是集成电路领域的最大差距。

在逻辑器件方面,刘明指出,我国对低功耗新原理逻辑器件的机理,模型,材料,结构和集成技术进行了前瞻性研究。国内优势企业,大学和研究机构对硅基逻辑器件的全套试验技术进行了系统研究,为产业发展提供技术和知识产权援助。

此外,刘明还表示,中国对新记忆前沿和关键技术进行了系统研究。学术界和工业界密切合作,共同开发RRAM,PRAM和MRAM的大规模集成流程。

最后,刘明强调,IC的快速发展是信息技术的核心和基础。中国很难超越Molthan Moore IC器件连续小型化的路线,但这是创新的基础。它必须巩固,没有任何弯曲。 (校对/冬青)

*此内容最初由Jiwei创建,版权归属于它。未经Chimnet书面授权,不得以任何方式使用,包括复制,提取,复制或制作镜子。

本文最初由第1点作者撰写,未经授权不得转载。

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9月17日,中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开。中国科学院院士刘明在讲话中指出,国内光刻技术与国外技术的差距仍然是15 - 20年,这是集成电路领域的最大差距。

刘明谈到了中国集成电路的几项基本技术。关于光刻胶技术,刘明说,中国在EUV光源,多层膜,掩模,光刻胶和超光滑抛光技术方面取得了一些进展。但总的来说,国内光刻技术与国外技术之间的差距仍然是15到20年,这是集成电路领域的最大差距。

在逻辑器件方面,刘明指出,我国对低功耗新原理逻辑器件的机理,模型,材料,结构和集成技术进行了前瞻性研究。国内优势企业,大学和研究机构对硅基逻辑器件的全套试验技术进行了系统研究,为产业发展提供技术和知识产权援助。

此外,刘明还表示,中国对新记忆前沿和关键技术进行了系统研究。学术界和工业界密切合作,共同开发RRAM,PRAM和MRAM的大规模集成流程。

最后,刘明强调,IC的快速发展是信息技术的核心和基础。中国很难超越Molthan Moore IC器件连续小型化的路线,但这是创新的基础。它必须巩固,没有任何弯曲。 (校对/冬青)

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